Глубокий ультрафиолет с длиной волны 255 нанометров обладает высокой энергией фотонов, что позволяет запускать фотохимические реакции и обнаруживать биологические молекулы. Традиционные источники такого излучения громоздки и токсичны, поэтому интеграция в чипы была затруднена. Международная группа ученых решила эту проблему, вырастив полупроводниковые слои на доступных сапфировых подложках.
В основе разработки лежит эффект «шепчущей галереи»: свет многократно отражается от краев микродиска, двигаясь по его периметру без использования внешних зеркал. Для повышения эффективности в структуру добавили три квантовые ямы, которые удерживают электроны и ускоряют испускание фотонов. Пороговая плотность мощности устройства составила 280 кВт/см², что соответствует мировым стандартам для подобных длин волн.



Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!